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HCJDCS-B型 高頻介電常數及介質損耗測試儀
產品簡介
HCJDCS-B介電常數及介質損耗測試儀是根據GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的試驗方法》(等效采用IEC 60250)設計和制造的,并符合JB 7770等試驗方法。
介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;該儀器廣泛應用于大專院校、科研院所對無機非金屬新材料性能的應用研究。儀器遵從標準:GB/T5594.4-1985。
產品特點
它適用于在高頻(1MHz)下絕緣材料的測試。
介電常數又稱電容率或相對電容率,是表征電介質或絕緣材料電性能的一個重要數據,常用ε表示。介質在外加電場時會產生感應電荷而削弱電場,原外加電場(真空中)與終介質中電場比值即為介電常數。其表示電介質在電場中貯存靜電能的相對能力,例如一個電容板中充入介電常數為ε的物質后可使其電容變大ε倍。介電常數愈小絕緣性愈好。如果有高介電常數的材料放在電場中,場的強度會在電介質內有可觀的下降。介電常數還用來表示介質的極化程度,宏觀的介電常數的大小,反應了微觀的極化現象的強弱。氣體電介質的極化現象比較弱,各種氣體的相對介電常數都接近1,液體、固體的介電常數則各不相同,而且介電常數還與溫度、電源頻率有關。
物質介電常數具有復數形式,其實部即為介電常數,虛數部分常稱為耗散因數。
通常將耗散因數與介電常數之比稱作耗散角正切,其可表示材料與微波的耦合能力,耗散角正切值越大,材料與微波的耦合能力就越強。例如當電磁波穿過電解質時,波的速度被減小,波長也變短了。
適用范圍
該儀器用于科研單學、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
參數規格
1 Q值測量范圍:5~999
Q值量程分檔:30、100、300、999、自動換檔或手動換擋
誤差:25kHz~10MHz ≤5%±滿度值的2%
10MHz~50MHz ≤7%±滿度值的2%
2 電感測量范圍:0.1μH~1H 分七個量程
3 電容測量范圍:1PF~460PF
主電容調節范圍:40PF~500 PF
度:150PF以下±1.5PF
150PF以上±1%
微調電容調節范圍:-3PF~0PF~+3PF
度:±0.2PF
4 頻率覆蓋范圍:25 kHz~50MHz 分七段
指示誤差:2×10-4±2個字
5 電源:220V±22V 50Hz±2.5Hz 25W
6 環境溫度:(0~+40)℃
7 相對濕度:RH<80%
8 外形尺寸:380mm×132mm×280mm
9 重量:約7kg
10.電感9只;
11.夾具一套
1.本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電,使用前要檢查市電電壓是否合適,采用穩壓電源,以保證測試條件的穩定。
2.開機預熱15分鐘,使儀器恢復正常狀態后才能開始測試。
3.按部件標準制備好的陶瓷試樣,兩面用燒滲法被上銀層,并分別焊上一根Φ0.8mm,30~40mm長的金屬引線。引線材料為銅,表面鍍銀并浸錫。
4.選擇適當的輔助線圈插入電感接線柱。根據需要選擇振蕩器頻率,調節測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C1,品質因素為Q1。
5.“△Q零點調節”旋鈕使Q表指向表頭中間零點。
6.“Q量程”開關扳回500檔。
7.將被測樣品接在“CX”接線柱上。
8.再調節測試電路電容器使電路諧振,這時電容為C2,“Q量程”扳向△Q位置,可以直接讀出△Q,并且Q2= Q1-△Q,將Q表量程扳回500檔。
9.用游標卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個數據,再取其平均值)。
四、實驗結果
1.tanδ和ε測定記錄
實驗數據按表1要求填寫。
表1 tanδ和ε測定記錄表
試樣名稱 |
| 測定人 |
| 測定時間 |
| ||||||
試樣處理 |
| ||||||||||
編號 | C1 | C2 | C | d | ψ | δ | Q1 | △Q | Q2 | tanδ | QX |
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2.計算
Cd Φ2 |
1)介電常數ε
ε=
式中:C---試樣的電容量(PF), C= C1-C2;
d---試樣厚度(cm);
Φ—試樣直徑(cm)。
C1 △Q C1 Q1-Q2 C1-C2 Q1* Q2 C1-C2 Q1* Q2 |
2)介質損耗角正切tanδ
tanδ= * = *
1 Q1Q2 C1-C2 tanδ Q1-Q2 C1 |
3) Q值
Q = = *
1.圓片形試樣的尺寸(Φ=38mm+1mm,d=2mm+0.5mm)要符合公差要求,兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術條件。
2.電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡,所以測定時,電壓和頻率要求穩定,電壓變動不得大于1%,頻率變動不得大于0.5%。
3.電極與試樣的接觸情況,對tanδ的測試結果有很大影響,因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。
4.試樣吸濕后,測得的tanδ值增大,影響測量精度,應嚴格避免試樣吸潮。
5.在測量過程中,注意隨時檢查電橋本體屏蔽的情況,當電橋真正達到平衡,“本體-屏蔽”開關置于任何一邊時,檢查計光帶均應小,而無大變化。
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